- 公司名称:
- 倾佳电子SiC碳化硅MOSFET取代IGBT业务推进有限公司
- 公司地址:
- 奥士达大厦
- 所在地区:
- 中国大陆
- 公司电话:
- 公司传真:
- 电子邮件:
- 联 系 人:
- 杨茜 (女士)
- 部门(职位):
- 碳化硅功率器件 (业务总监)
- 在线状态:
- 当前离线
SiC碳化硅MOSFET取代IGBT,碳化硅MOSFET单管替代单管IGBT,SiC碳化硅MOSFET功率模块替代IGBT模块,碳化硅替代IGBT,SiC替代IGBT,SiC碳化硅MOSFET升级替代IGBT,基本BASiC碳化硅MOSFET晶圆,SiC碳化硅SBD晶圆,SiC碳化硅二极管晶圆,eVTOL电机驱动,eVTOL电机控制器,基半代理商,基本BASiC碳化硅功率器件,基本BASiC一级代理,国产车规级碳化硅(SiC)MOSFET,基本™碳化硅SiC功率MOSFET一级代理商,基本™碳化硅SiC肖
About US
泰华企业网竭诚为您服务
----//////----
倾佳电子SiC碳化硅MOSFET取代IGBT业务推进有限公司
为什么碳化硅MOSFET会取代IGBT? 碳化硅MOSFET和IGBT都是功率器件,但它们具有不同的特性。碳化硅MOSFET具有更高的开关速度、更低的导通电阻、更高的耐压和更高的结温,因此在高频、高压和高功率应用中具有优势。IGBT具有更高的可靠性和更高的抗短路能力,因此在一些特殊应用中仍具有优势。SiC碳化硅MOSFET技术性能上的优势,使变换器的设计可以变得更有效率,单个逆变器的额定功率得以进一步提高,从而降低整体系统成本 光伏逆变器,电动汽车,储能变流器,充电桩电源模块等电力电子系统向更高电压发展已经成为行业的必... Contact US
我们非常愿意与您取得联系
----///联系我们 ///----
|